Hình ảnh chỉ để tham khảo
UF3C120080B7S
+BOMSICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
-
Nhà sản xuấtĐơn vị SiC
-
Ông. Phần #UF3C120080B7S
-
Có sẵn3183
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | UnitedSiC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 28.8A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 23 nC @ 12 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 754 pF @ 100 V |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
