Hình ảnh chỉ để tham khảo
VP2206N3-G
+BOMMOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Microchip
-
Ông. Phần #VP2206N3-G
-
Có sẵn422
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bag |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 640mA (Tj) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
