VS-GB75LA60UF

Hình ảnh chỉ để tham khảo

VS-GB75LA60UF

+BOM

IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227

  • Nhà sản xuấtVishay General Semiconductor - Bộ phận Diode

  • Ông. Phần #VS-GB75LA60UF

  • Gói SOT-227-4

  • Có sẵn9715

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
IGBT Type NPT
Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 109 A
Power - Max 447 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff(Max) 50 µA
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Sản phẩm liên quan đến VS-GB75LA60UF