Hình ảnh chỉ để tham khảo
VSIB660-E3/45
+BOMBRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S
-
Nhà sản xuấtVishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
-
Ông. Phần #VSIB660-E3/45
-
Bảng dữ liệu VSIB660-E3/45 DataSheet
-
Gói GSIB-5S-4
-
Có sẵn4942
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Single Phase |
| Technology | Standard |
| Voltage - Peak Reverse(Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 2.8 A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
