WNSC2D08650DJ

Hình ảnh chỉ để tham khảo

WNSC2D08650DJ

+BOM

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

  • Nhà sản xuấtWeEn Semiconductors

  • Ông. Phần #WNSC2D08650DJ

  • Gói TO-252-3

  • Có sẵn7663

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier WeEn Semiconductors
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DPAK

Sản phẩm liên quan đến WNSC2D08650DJ