2N7002DW vs 2N7002-7-F

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002DW và 2N7002-7-F cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002DW

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6631 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Part B

2N7002-7-F

Diode Tập hợp

Lifecycle
Active
Stock
5757 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002DW 2N7002-7-F
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 115mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 370mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -