2N7002DW vs 2N7002NXAKR So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002NXAKR và 2N7002DW cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
2N7002NXAKR

+BOM

2910 PCS | Nexperia Hoa Kỳ Inc.
2N7002DW

+BOM

6631 PCS | onsemi
Gói SOT-23-3
Mô tả MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 190mA (Ta), 300mA (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.43 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 20 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - 2N7002
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id - 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 50pF @ 25V
Power - Max - 200mW
Packaging - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Mô hình so sánh : 2N7002NXAKR 2N7002DW

+BOM RFQ