2N7002E vs 2N7002K-7

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002E và 2N7002K-7 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002K-7 and 2N7002E are both N-channel enhancement-mode MOSFETs in SOT-23 packages with comparable voltage and current ratings, making the 2N7002K-7 a viable functional substitute for the 2N7002E in most low-power switching applications. Designers should verify gate threshold and RDS(on) tolerances against their specific circuit requirements before committing to a drop-in replacement.

Drain-Source Voltage Rating High match
Continuous Drain Current High match
On-Resistance RDS(on) Validation required
Package Type High match

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Linh kiện điện tử Panasonic

Lifecycle
Active
Stock
3552 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

2N7002K-7

Diode Tập hợp

Lifecycle
Active
Stock
5630 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002E 2N7002K-7
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) 380mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V 0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 370mW (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount