2N7002E vs 2N7002K

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002E và 2N7002K cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002K and 2N7002E are both N-channel enhancement-mode MOSFETs in SOT-23 packages with 60 V drain-source voltage ratings, making them functionally interchangeable in most low-power switching and level-shifting applications. However, designers should verify gate threshold voltage, on-resistance, and continuous drain current against the specific circuit requirements before committing to a drop-in substitution.

Drain-Source Voltage Rating High match
Package Type High match
Continuous Drain Current Validation required
On-Resistance Validation required

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Linh kiện điện tử Panasonic

Lifecycle
Active
Stock
3552 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

2N7002K

Rectron Hoa Kỳ

Lifecycle
Active
Stock
3271 PCS
Package
SOT-23
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002E 2N7002K
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) 300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount