2N7002KT1G vs 2N7002E-T1-E3

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002KT1G và 2N7002E-T1-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2832 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

2N7002E-T1-E3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 7566 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	2N7002KT1G	2N7002E-T1-E3
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	320mA (Ta)	240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V	3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	24.5 pF @ 20 V	21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ