2N7002KT1G
onsemi
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2832 PCS
- Package
- SOT-23-3
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002KT1G và 2N7002V cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | 2N7002KT1G | 2N7002V |
|---|---|---|
| Supplier | - | Rochester Electronics, LLC |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 320mA (Ta) | 280mA |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 24.5 pF @ 20 V | 50pF @ 25V |
| Power - Max | - | 250mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) | - |