AUIRGDC0250 vs AUIRGP50B60PD1

Bảng so sánh chi tiết giữa AUIRGDC0250 và AUIRGP50B60PD1 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRGDC0250

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 1654 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Part B

AUIRGP50B60PD1

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5100 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	AUIRGDC0250	AUIRGP50B60PD1
Supplier	-	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
IGBT Type	-	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	1200 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	141 A	75 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	99 A	150 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	1.57V @ 15V, 33A	2.85V @ 15V, 50A
Power - Max	543 W	390 W
Switching Energy	15mJ (off)	255µJ (on), 375µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	227 nC	205 nC
Td(on / off) @ 25°C	-/485ns	30ns/130ns
Test Condition	600V, 33A, 5Ohm, 15V	390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ