CSD16321Q5 vs CSD16409Q3

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD16321Q5 và CSD16409Q3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16321Q5

Texas Dụng cụ

Lifecycle
Active
Stock
7266 PCS
Package
TDFN-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

CSD16409Q3

Texas Dụng cụ

Lifecycle
Active
Stock
6361 PCS
Package
TDFN-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD16321Q5 CSD16409Q3
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +10V, -8V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V 800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) 2.6W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ