CSD87312Q3E vs CSD87313DMS So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD87312Q3E và CSD87313DMS cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
CSD87312Q3E

+BOM

5430 PCS | Texas Dụng cụ
CSD87313DMS

+BOM

6204 PCS | Texas Dụng cụ
Gói TDFN-8 WDFN-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1250pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 33mOhm @ 7A , 8V -
Power - Max 2.5W -
Mô hình so sánh : CSD87312Q3E CSD87313DMS

+BOM RFQ