CSD87350Q5D vs CSD87313DMS

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD87350Q5D và CSD87313DMS cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87350Q5D

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 7004 PCS
Package: LDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

CSD87313DMS

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 6204 PCS
Package: WDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD87350Q5D	CSD87313DMS
Supplier	-	Texas Instruments
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V @ 250µA	1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.9nC @ 4.5V	28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1770pF @ 15V	4290pF @ 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	40A	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 20A, 8V	-
Power - Max	12W	-

Compare RFQ