FDC6301N vs FDC638P
Bảng so sánh chi tiết giữa FDC638P và FDC6301N cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Gói
SSOT-6
Mô tả
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
Series
PowerTrench®
-
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDC638
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
220mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.7nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
9.5pF @ 10V
Power-Max
-
700mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
