FDC6561AN vs FDC658AP
Bảng so sánh chi tiết giữa FDC658AP và FDC6561AN cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SSOT-6
SSOT-6
Mô tả
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1 nC @ 5 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
470 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
