FDG6316P vs FDG6332C-PG

Bảng so sánh chi tiết giữa FDG6316P và FDG6332C-PG cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4567 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Part B

FDG6332C-PG

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3818 PCS
Package
SC-88
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6316P FDG6332C-PG
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - N and P-Channel Complementary
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs - 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 6V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -