FDS6912A vs FDS6982S

Bảng so sánh chi tiết giữa FDS6912A và FDS6982S cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
FDS6912A

+BOM

2230 PCS | onsemi
FDS6982S

+BOM

3214 PCS | onsemi
Gói SOIC-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 2040pF @ 10V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS69
ProductStatus Active -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A -
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 6A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1nC @ 5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Mô hình so sánh : FDS6912A FDS6982S

+BOM RFQ