FDS6930B vs FDS6982AS_G

Bảng so sánh chi tiết giữa FDS6930B và FDS6982AS_G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 16996 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

FDS6982AS_G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9642 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDS6930B	FDS6982AS_G
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	onsemi
Series	PowerTrench®	PowerTrench®, SyncFET™
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.5A	6.3A, 8.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs	38mOhm @ 5.5A, 10V	28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.8nC @ 5V	9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	412pF @ 15V	610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Power - Max	900mW	900mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ