FDS8958A vs FDS8960C
Bảng so sánh chi tiết giữa FDS8958A và FDS8960C cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
Mô tả
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FETType
N and P-Channel
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A, 5A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 7A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
-
Power-Max
900mW
-
MountingType
Surface Mount
-
