IRF4905PBF vs IRF4905STRRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF4905STRRPBF và IRF4905PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF4905STRRPBF

+BOM

6200 PCS | Công nghệ Infineon
IRF4905PBF

+BOM

6562 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-263-3 TO-220
Mô tả MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Not For New Designs Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 42A (Tc) 74A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3500 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 170W (Tc) 200W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Mô hình so sánh : IRF4905STRRPBF IRF4905PBF

+BOM RFQ