IRF530 vs IRF5305STRLPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF5305STRLPBF và IRF530 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF5305STRLPBF

+BOM

3476 PCS | Công nghệ Infineon
IRF530

+BOM

1420 PCS | STMicroelectronics
Gói TO-263-3 TO-220-3
Mô tả MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Series HEXFET® STripFET™ II
ProductStatus Active Obsolete
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Tc) 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 60mOhm @ 16A, 10V 160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 63 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1200 pF @ 25 V 458 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 60W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Mô hình so sánh : IRF5305STRLPBF IRF530

+BOM RFQ