IRF5305STRLPBF vs IRF530PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF5305STRLPBF và IRF530PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF5305STRLPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3476 PCS
Package
TO-263-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

IRF530PBF

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
6309 PCS
Package
TO-220-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF5305STRLPBF IRF530PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 16A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 88W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Through Hole