IRF540NSTRLPBF vs IRF540
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF540 và IRF540NSTRLPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
TO-263-3
Mô tả
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF540
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 17A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
Series
-
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
130W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
