IRF7309TRPBF vs IRF7317TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7309TRPBF và IRF7317TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7309TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5390 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

IRF7317TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 2170 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7309TRPBF	IRF7317TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4A, 3A	6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.4A, 10V	29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V	27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	520pF @ 15V	900pF @ 15V
Power - Max	1.4W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ