IRF7389TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7389TRPBF và IRF7341GTRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7389TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 2749 PCS
Package: SO-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

IRF7341GTRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3946 PCS
Package: SO-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7389TRPBF	IRF7341GTRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	55V
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 5.8A, 10V	50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	33nC @ 10V	44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	650pF @ 25V	780pF @ 25V
Power - Max	2.5W	2.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	5.1A

Compare RFQ