IRF7342PBF vs IRF7309PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7342PBF và IRF7309PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7342PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
2889 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
+BOM RFQ
Part B

IRF7309PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6881 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7342PBF IRF7309PBF
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A 4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 38nC @ 10V 25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 690pF @ 25V 520pF @ 15V
Power - Max 2W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ