IRF7380PBF vs IRF7306PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7380PBF và IRF7306PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3152 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
+BOM RFQ
Part B

IRF7306PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7981 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7380PBF IRF7306PBF
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 25V 440pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ