IRF7842TRPBF vs IRF7815TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7842TRPBF và IRF7815TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7842TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 4070 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRF7815TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5071 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7842TRPBF	IRF7815TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Ta)	5.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5mOhm @ 17A, 10V	43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.25V @ 250µA	5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V	38 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4500 pF @ 20 V	1647 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ