IRFB3206PBF vs IRFB3806PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB3806PBF và IRFB3206PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB3806PBF

+BOM

5920 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB3206PBF

+BOM

6622 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220-3 TO-220-3
Mô tả MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 43A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 15.8mOhm @ 25A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 50µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1150 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 71W (Tc) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB3806PBF IRFB3206PBF

+BOM RFQ