IRFB4019PBF vs IRFB4115PBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4115PBF và IRFB4019PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB4115PBF

+BOM

3757 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB4019PBF

+BOM

6417 PCS | Máy chỉnh sửa quốc tế
Gói TO-220 TO-220-3
Mô tả MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 104A (Tc) 17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 11mOhm @ 62A, 10V 95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 380W (Tc) 80W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB4115PBF IRFB4019PBF

+BOM RFQ