IRFB4019PBF vs IRFB4227PBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4227PBF và IRFB4019PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
TO-220
TO-220-3
Mô tả
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
65A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
24mOhm @ 46A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
5V @ 250µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
