IRFB4020PBF vs IRFB4229PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4229PBF và IRFB4020PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB4229PBF

+BOM

2740 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB4020PBF

+BOM

1864 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220 TO220-3
Mô tả MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 46A (Tc) 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 46mOhm @ 26A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4560 pF @ 25 V 1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 330W (Tc) 100W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB4229PBF IRFB4020PBF

+BOM RFQ