IRFB4410ZPBF vs IRFB4020PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4410ZPBF và IRFB4020PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4410ZPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6749 PCS
Package: TO-220
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRFB4020PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 1864 PCS
Package: TO-220
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFB4410ZPBF	IRFB4020PBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	97A (Tc)	18A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	9mOhm @ 58A, 10V	100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 150µA	4.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V	29 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4820 pF @ 50 V	1200 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	230W (Tc)	100W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Series	HEXFET®	-

Compare RFQ