IRFB4110PBF vs IRFB4332PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4110PBF và IRFB4332PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4110PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7679 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRFB4332PBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle
Active
Stock
2544 PCS
Package
TO-220-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB4110PBF IRFB4332PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 5860 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 390W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ