IRFB4410ZPBF vs IRFB4110PBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4110PBF và IRFB4410ZPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB4110PBF

+BOM

7679 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB4410ZPBF

+BOM

6749 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220 TO-220
Mô tả MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 97A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB4110PBF IRFB4410ZPBF

+BOM RFQ