IRFB4229PBF vs IRFB4115PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4229PBF và IRFB4115PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4229PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
2740 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRFB4115PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3757 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB4229PBF IRFB4115PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 46A (Tc) 104A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 11mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 5270 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 380W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ