IRFH7085TRPBF vs IRFH7084TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFH7085TRPBF và IRFH7084TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFH7085TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7607 PCS
Package
TDSON-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

IRFH7084TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3343 PCS
Package
TDSON-8
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFH7085TRPBF IRFH7084TRPBF
Series StrongIRFET™ HEXFET®
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V 6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount