IRFHM830TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
Bảng so sánh chi tiết giữa IRFHM830TRPBF và IRFHM8363TR2PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
VDFN-8
Mô tả
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1165pF @ 10V
Power-Max
-
2.7W
MountingType
-
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRFHM830
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
