IRFP460APBF vs IRFP4768PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFP4768PBF và IRFP460APBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFP4768PBF

+BOM

7193 PCS | Công nghệ Infineon
IRFP460APBF

+BOM

3680 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
Gói TO-247-3
Mô tả MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Series HEXFET® -
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number IRFP4768 -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 280W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Mô hình so sánh : IRFP4768PBF IRFP460APBF

+BOM RFQ