IRFP4768PBF
Công nghệ Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7193 PCS
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
Bảng so sánh chi tiết giữa IRFP4768PBF và IRFP460 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | IRFP4768PBF | IRFP460 |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | PowerMESH™ II |
| Part Status | Last Time Buy | Obsolete |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V | 500 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | - | 18.4A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | - | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | - | 270mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | - | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 128 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | - | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | - | 2980 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) | 220W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Base Product Number | IRFP4768 | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 56A, 10V | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10880 pF @ 50 V | - |
| Packaging | Tube | - |