IRFR3910TRPBF vs IRFR3410TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFR3910TRPBF và IRFR3410TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFR3910TRPBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle: Active
Stock: 7386 PCS
Package: TO-252
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRFR3410TRPBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle: Active
Stock: 6256 PCS
Package: TO-252
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFR3910TRPBF	IRFR3410TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	16A (Tc)	31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	115mOhm @ 10A, 10V	39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V	56 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	640 pF @ 25 V	1690 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	79W (Tc)	3W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ