IRFS4010TRLPBF vs IRFS4115TRLPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFS4010TRLPBF và IRFS4115TRLPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4010TRLPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6834 PCS
Package: TO-263-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRFS4115TRLPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 7798 PCS
Package: TO-263-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFS4010TRLPBF	IRFS4115TRLPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	180A (Tc)	195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.7mOhm @ 106A, 10V	12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	215 nC @ 10 V	120 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9575 pF @ 50 V	5270 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)	375W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ