IRG4PF50WPBF vs IRG4PC40KDE206P

Bảng so sánh chi tiết giữa IRG4PF50WPBF và IRG4PC40KDE206P cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PF50WPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7350 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRG4PC40KDE206P

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
2221 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PF50WPBF IRG4PC40KDE206P
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 900 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 51 A 42 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 204 A 84 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 28A 2.6V @ 15V, 25A
Power - Max 200 W 160 W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off) 950µJ (on), 760µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 120 nC
Td(on / off) @ 25°C 29ns/110ns 53ns/110ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 480V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) - 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ