IRG4PF50WPBF vs IRG4PC50FD-EPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRG4PF50WPBF và IRG4PC50FD-EPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRG4PF50WPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7350 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRG4PC50FD-EPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
2676 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PF50WPBF IRG4PC50FD-EPBF
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 900 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 51 A 70 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 204 A 280 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 28A 1.6V @ 15V, 39A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off) 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 190 nC
Td(on / off) @ 25°C 29ns/110ns 55ns/240ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) - 50 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ