IRLML2803TRPBF vs IRLML6401TRPBF
Bảng so sánh chi tiết giữa IRLML6401TRPBF và IRLML2803TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOT-23
Mô tả
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRLML6401
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
540mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
