IRLML6402TRPBF vs IRLML6401TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRLML6402TRPBF và IRLML6401TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3910 PCS
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs

+BOM RFQ

Part B

IRLML6401TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6783 PCS
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML6402TRPBF	IRLML6401TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Last Time Buy
Base Product Number	IRLML6402	IRLML6401
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)	4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	15 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±12V	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 10 V	830 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

Compare RFQ