JANTX2N7236 vs JANTX2N2326

Bảng so sánh chi tiết giữa JANTX2N7236 và JANTX2N2326 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

JANTX2N7236

Tập đoàn Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
2916 PCS
Package
TO-254AA
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

JANTX2N2326

Công nghệ Microchip

Lifecycle
Active
Stock
8798 PCS
Package
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series
Thyristors - SCRs
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification JANTX2N7236 JANTX2N2326
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Off State - 200 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Current - On State(It(AV))(Max) - 220 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 2 mA
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 18A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 125W (Tc) -
Compare RFQ