MMBT5551 vs MMBT5550LT1G

Bảng so sánh chi tiết giữa MMBT5551 và MMBT5550LT1G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single Bipolar Transistors
+BOM RFQ
Part B

MMBT5550LT1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6596 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5551 MMBT5550LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 60 @ 10mA, 5V
Compare RFQ